二维半导体会是硅的终结者吗？

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（本文编译自Semiconductor Engineering） 半导体行业研究人员长期以来一直期望能有更好的晶体管通道材料来取代硅，但硅器件的持续改进也让这种变化不断延后。 硅继续提供着无与伦比的器件性能、可制造性和成本效益。然而，近年来，“硅的终结”这一说法变得越来越可能。晶体管需要更薄的通道来保持足够的静电控制，但随着芯片厚度降至3纳米以下，表面散射会导致通道电阻急剧增加。 二维半导体似乎是最有可能的替代方案。它们没有平面外的悬空键，从而最大限度地减少了表面散射。特别是过渡金属二硫属化物(TMD)，它们与钨或钼等过渡金属形成晶体，这些金属被夹在硫、硒或其他卤族元素层之间。近年来，TMD在实验室中取得了重大进展，但在材料生长、集成和制造方面仍面临一些重大挑战。 图1：过渡金属二硫属化物单层的晶体结构。 图源 ………………………………