最高可节省75% PCB 面积！全新一代CoolGaN™ 技术产品发布

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英飞凌陆续推出全新CoolGaN™ 产品技术，将氮化镓（GaN）应用在中压和高压领域再进一步，并帮助工程师在设计中降低功耗和成本。 👆共100份试用品，欢迎扫码申请体验 英飞凌本次新推出的GaN器件具有快速的导通/关断速度、最小的开关损耗和多种封装选择，能够简单快速地将产品推向市场。 新品详情  CoolGaN™ G3 中压晶体管  - 采用高性能 8 英寸晶圆工艺制造。  - 覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V 的CoolGaN™ 晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。  - 主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。  CoolGaN™ BDS 40 V  - 一款基于英飞凌肖特基栅氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。  - 能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。  - 相比传统的背对 ………………………………