IGBT功率器件应用解决方案

主要观点总结

文章主要介绍了IGBT芯片的结构、原理、应用领域以及芯达茂产品的优势。

关键观点总结

关键观点1: IGBT芯片的结构与原理

IGBT的导通与截止由栅极电压控制。开态时相当于水龙头放水，IGBT持续通电流状态；关态时相当于水龙头关闭，IGBT承载电压且不能有漏电流。开关状态瞬间完成，并有寄生电容充电和放电过程。

关键观点2: IGBT的应用领域

IGBT的应用领域广泛，如图三所示。其中，变频器应用和电源类应用是其主要领域，但远期有些领域可能会被SiC取代。

关键观点3: 芯达茂产品的优势

芯达茂针对光伏逆变、储能、充电桩、PFC等领域开发了相应的功率器件，可满足各种应用需求。

文章预览

01 IGBT芯片结构及原理 •  IGBT的导通与截止是由栅极电压控制的，如 图一 所示。栅极加正向电压时，MOSFET内形成通道，并为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。栅极加负向电压时，MOSFET内通道消失，基极电流切断，IGBT截止。 •  开态相当于水龙头放水 ， IGBT持续通电流状态；漂移区存在大量电子-电洞；漂移区电阻降低，使耐压高的IGBT也具有低的导通电压特性。 •  关态相当于 水龙头关闭 ，水龙头需要承载一定的水压且不能漏水；IGBT承载电压且不能有漏电流；漂移区不存在大量电子-电洞；漂移区可以承压。 •  开关状态： 截止到导通或者导通到截止都是瞬间完成；寄生电容充电和放电过程。 △图一 IGBT 对应不同应用会有特性上的的权衡，例如变频器应用(电机控制)会相较电源类应用的频率低，所以更在意导通损耗要低且要有能够承受短路 ………………………………