Kioxia与Sandisk推出新一代3D闪存技术，NAND接口速度达4.8Gb/s

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近日，存储厂商Kioxia和Sandisk在国际固态电路会议（ISSCC 2025）上联合发布了一项具有里程碑意义的技术突破——新一代3D闪存技术，其NAND接口速度达到了惊人的4.8Gb/s，同时在能效和存储密度方面也取得了显著提升，为行业树立了新的标杆。 借助独特的高速技术，与目前大规模生产的第8代3D闪存相比，新一代产品的NAND接口速度提高了33%，成功达到4.8Gb/s 。这一提升主要得益于对接口标准的升级，采用了最新的Toggle DDR6.0标准，该标准专为NAND闪存设计，极大地优化了数据传输的速率。 为了满足现代数据中心对高效能的严苛要求，该技术在数据输入/输出方面实现了能效的大幅增强。通过采用PI-LTT（Power Isolated Low-Tapped Termination）技术，利用现有的1.2V电源和额外的较低电压作为NAND接口电源，数据输入功耗降低了10%，输出功耗降低了34%，在高性能与低功耗 ………………………………