主要观点总结
文章主要报道了三星电子在平泽P4工厂建设1c nm DRAM内存产线的投资计划，该产线目标明年6月投入运营。此外，文章还介绍了三星电子计划在今年底启动1c nm内存生产，并考虑在明年下半年推出的HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片以提升能效竞争力。
关键观点总结
关键观点1: 三星电子在平泽P4工厂建设1c nm DRAM内存产线
该投资计划已得到确认，目标是在明年6月投入运营。平泽P4工厂是一座综合性半导体生产中心，分为四期，其中一期为NAND闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为DRAM内存。
关键观点2: 三星电子计划在今年底启动1c nm内存生产
报道中指出，三星电子考虑使用更先进的DRAM制程来提升HBM4产品的能效竞争力，并追赶HBM领域的领先者SK海力士。
关键观点3: 三星电子可能在HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片
为了应对HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存的情况，平泽P4建设1c nm DRAM产线也是为了满足可能的HBM4生产需求。
文章预览
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！ 不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓↓↓ 8月12日消息，韩媒报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。 平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称，三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。 据道，三星电子考虑在明年下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先进的 DRAM 制程提升 HBM4 产品的能效竞争力，追赶 HBM 领域领先者 SK 海力士。 考虑到 HBM
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