一文了解SiC芯片的设计和制造

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点击蓝色   关注我们 首先，下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的 晶圆 (wafer)。 图一.制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆 芯片表面一般是如图二所示，由 源极焊盘 (Source pad)， 栅极焊盘 (Gate Pad) 和 开尔文源极焊盘 (Kelvin Source Pad)构成。有一些只有Gate pad，如上图的芯片就没有Kelvin source pad。 图二.芯片表面 在这里我们仔细观察芯片的周围有一个很窄的环形，它的作用主要是提升芯片的耐压，我们叫 耐压环 (Edge termination Ring)，通常是JTE结构，其实一个芯片主要就是由三部分构成：Terminal Ring，Gate Pad，Kelvin Source Pad和开关单元(Active Cell)。 芯片外围一圈是耐压环，Gate pad把栅极信号传递到每一个Cell上面，然后里面是上百万个Active Cell。 通常大家关注比较多的是Active Cell，因为芯片的开关和导通性能主要是和Active Cell有比较大的关系。在这里我们把芯片的l ………………………………