南京大学Adv.Mater.：高取向单层二硫化钨WS2！！

主要观点总结

本工作室建立了微信群用于交流讨论，提供二维材料、科研绘图技巧等内容。同时宣传了邓昱老师等人关于高定向二硫化钨（WS2）单层研究的工作，该工作在Advanced Materials期刊上发表。这项研究通过模板生长策略实现了WS2单层的高定向生长，并在高性能电子学领域表现出良好的性能，为宽带隙TMDC单层在后硅电子学中的应用铺平了道路。

关键观点总结

关键观点1: 工作室建立微信群，促进学术交流。

工作室通过微信群提供交流讨论的平台，分享二维材料、科研绘图技巧等相关内容。

关键观点2: 邓昱老师等人的研究在Advanced Materials期刊上发表。

该研究关注高定向二硫化钨（WS2）单层的合成及其在高性能电子学中的应用。

关键观点3: WS2单层的高定向生长策略的实现及其性能表现。

该研究通过模板生长策略在斜切C/A面蓝宝石晶片上实现了WS2单层的高定向生长。在高性能电子学领域表现出良好的性能，如高场效应迁移率、低接触电阻和创纪录的高饱和电流密度。

关键观点4: 研究的创新点和意义。

该研究为宽带隙TMDC单层在后硅电子学中的应用铺平了道路，为大面积、高性能TMDC单层的合成提供了新的方法。

文章预览

本工作室建立了微信群 促进同学们之间的交流学习并有效讨论问题，可通过添加编辑微信进群。 1.编辑微信：1）FEtunan（微信号）2）18600648928 2.工作室提供：二维材料生长及器件制作；科研绘图技巧；二维相关报告或会议推送；二维读博导师推荐、课题组招聘需求等 欢迎大家投递中文的工作宣传稿及广告，具体联系微信：FEtunan（微信号） 南京大学 邓昱老师、施毅老师、 郝玉峰老师、黎松林老师等人 发表了题为“Highly Oriented WS2 Monolayers for High-PerformanceElectronics”的工作在Advanced Materials期刊 上，本文的第一作者为Li Zhan, Xudong Pei, Jiachen Tang。 本文研究了通过模板生长策略在斜切C/A面蓝宝石晶片上可重复合成的高定向二硫化钨（WS2）单层，并展示了其在高性能电子学中的应用潜力。通过各种光谱表征确认了整个晶片上晶体取向的高一致性和均匀性。在 ………………………………