三星HBM4将转向Logic Base Die及3D封装

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9月4日，在台北举行的“Semicon Taiwan 2024”展会上，三星电子存储器事业本部部长李正培（Jung-Bae Lee）作为主题演讲嘉宾，介绍了三星的HBM优势。 李正培表示，目前AI时代遇三大挑战，即能耗、因内存带宽限制带来的AI性能限制，以及储存容量限制。由于带宽和内存容量需求增加，目前的HBM构架已经无法满足需求，加上HBM能耗较高，即数据传输与GPU间的能耗较高，因此三星将推出新的HBM构架，以减少当中传输。 三星提出的新的解决方案与SK海力士一样，虽然HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片（Base Die），采用2.5D 系统级封装，但是到HBM4都计划将DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以及3D封装，以推动性能和能效进一步提升。 具体来说，这个Logic Base die是连接AI加速器内部图形处理单元（GPU）和DRAM的必备组件，位于DRAM的底部，主要充当GPU和内存之间的 ………………………………