【材料】吉林大学刘冰冰教授、李全军教授JACS：通过压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n-p导电类型切换和显著光电导增强

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本征p型二维层状半导体的缺乏阻碍了二维器件的发展，特别是在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件和集成电路中。开发实用的 p 型半导体和先进的调制技术以实现精准的载流子控制，对于推动电子器件的发展至关重要。压力（压强）作为一种无污染手段，可以有效调控功能材料的晶体和电子结构，从而提供一种潜在的新途径来实现p型导电特性。然而，压力诱导的半导体极性改变却非常罕见，且通常伴随着半导体-金属的转变。因此，寻找压力下能在半导体-半导体相变中实现快速切换导电类型的材料变得尤为重要。 基于这一研究需求， 吉林大学 超硬材料国家重点实验室的 刘冰冰 教授和 李全军 教授团队最近 利用高压金刚石对顶砧技术，在NbO I 2 中发现了一种压力诱导的反常n型到p型的转变 。此外，他们还通过 施加压力显著提升了NbO I 2 的光电响 ………………………………