技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性

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前言 MOSFET的雪崩 主要涉及在特定条件下（如 高电压或大电流 ）‌，‌其内部通过 碰撞电离 产生更多的电子-空穴对，导致电流急剧增加，对器件的性能造成影响。‌雪崩特性是MOSFET在设计和应用中需要考虑的重要参数，‌因为它直接关系到 器件的安全运行和可靠性 。‌ 雪崩定义 MOSFET 雪崩是指当 MOSFET 上所承受的 电压超过其击穿电压时 ，在强电场作用下，载流子（电子和空穴）获得足够高的能量，通过碰撞电离产生新的电子 - 空穴对，形成连锁反应，导致 电流急剧增大 的现象。该现象类似于雪崩，初始的少量载流子在强电场中迅速引发大量载流子的产生和流动，从而可能造成 MOSFET 器件的损坏，影响其正常工作和性能。 雪崩电流和雪崩能量 MOSFET的雪崩特性包括 雪崩电流（‌IAS和IAR）‌和雪崩能量（‌EAS和EAR）‌ 。‌其中，‌EAS表示单 ………………………………