上海微系统所在高掺钪AlN压电薄膜HBAR器件研究的关键进展

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随着 5G 技术、工业 4.0 和物联网的兴起，无线通信系统飞速发展，对射频模块性能提出了更高要求。体声波（ BAW ）滤波器凭借其独特优势，成为该领域的关键元件，而其中压电材料的性能则是决定滤波器性能的核心因素。 BAW 滤波器因具备高工作频率、低插入损耗和优异的品质因子（ Q 值），在射频模块中得到广泛应用。氮化铝（ AlN ）虽在 BAW 滤波器中应用广泛，但本征机电耦合系数较小，限制了滤波器带宽。掺钪（ Sc ） AlN 则有效弥补了这一劣势，成为极具发展前景的压电材料。不过， Sc 元素掺入带来的高键能增加了工艺加工难度，其薄膜的生长和加工工艺成为研制高性能压电器件的关键。 据麦姆斯咨询报道，中国科学院上海微系统所的研究团队在《传感器与微系》期刊上发表了题为“高掺钪 AlN 压电薄膜 HBAR 器件及工艺研究”的文章。该团 ………………………………