产品介绍 | 提升汽车EPS系统电机驱动性能，屏蔽栅沟槽MOSFET AKG4N018GM-A是可靠选择

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前言 在EPS系统中，电机驱动电路通常采用功率MOSFET来控制直流电机的运行，传统的平面栅MOSFET在汽车EPS系统中的使用已经相当普遍。然而，由于汽车性能在不断提高，平面栅MOSFET逐渐暴露出一些缺点，如较高的Rds(on)导致功耗增加，较差的散热性能可能导致电机过热等问题。相比之下， 屏蔽栅沟槽MOSFET 具有 低导通电阻、高电流能力、良好 的热性能，在汽车EPS系统电机驱动中得到了广泛应用。 为解决此类需求，瑶芯推出多款满足EPS系统电机驱动电路的屏蔽栅沟槽MOSFET，满足汽车各个部位的使用要求。本文给大家介绍的是 AKG4N018GM-A ，该产品是一款漏源电压40V的N沟道SGT MOSFET，具有 1.85mΩ 的超低导通电阻，最大连续漏极电流 161A ，专为高效率电源管理设计。符合AEC-Q101认证，RoHS合规，无卤素。适用于 电池管理系统、电机驱动器和DC-DC转换器 。 低导通 ………………………………