专家访谈精华：国产光刻机突破65纳米

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1 、 《 中国 称在自主芯片制造设备开发方面取得突破 》 摘要 ■ 中国工业和信息化部（工信部）近日宣布在芯片制造设备的自主研发方面取得突破，特别是在激光浸没式光刻机技术上取得了显著进展。 ■ 建议的设备分辨率为65纳米或更高，相比此前最先进的国产设备（上海微电子的90纳米光刻机），实现了重大提升。 ■ 该公告虽未提及具体供应商，但包括氧化炉、干法刻蚀机等设备在内的多个国产芯片制造设备已被推荐使用。 ■ 当前，中国的芯片制造设备研发依然面临挑战，特别是与阿斯麦（ASML）等国际领先供应商的技术差距，尽管如上海微电子等公司正在加紧追赶。 ■ 长期来看，相关企业的技术突破可能会带动本土供应链的兴起，尤其是那些参与核心设备研发的公司。 2 、 《 能源法草案拟二审 》 摘 要 ■ 《能源法》草案二次审议稿的 ………………………………