Nano Lett.：MoS2中栅极可控的钾插层和超导性

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↑ 点击上方“石墨烯联盟”关注我们 成果介绍 将客体离子插入到层状材料的范德华（vdW）间隙中是创造新材料相和功能的有力途径。离子栅控是一种控制离子运动和结构的技术，可用于插层和表面静电掺杂。离子栅控技术的进步使原位探测离子扩散动力学、载流子掺杂和输运性质成为可能。 有鉴于此，近日， 日本理化学研究所新型物质科学中心Yoshihiro Iwasa等对单晶MoS 2 的钾离子（K + ）插层进行了原位电阻率和拉曼实验，并构建了温度-载流子密度相图 。K + 插层引起了从棱面体配位相到八面体配位相的结构转变，在八面体配位相中观察到各向异性的3D超导性和可能的电荷密度波态。本文的离子栅控对插层相提供了一个全面的认识，并证明了静电诱导的超导性与插层相中的超导性不同。 图文导读 图1.器件制造和插层过程。 图2.原位拉曼测量。 图3. ………………………………