全球NAND闪存行业下游需求规模持续扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

文章预览

1、NAND闪存概述 NAND闪存是一种通过在氮化硅的内部补集点捕获电子或空穴来存储信息的设备。在这种设备中，工作区和栅极间会留有通道供电流通过硅晶片表面，而根据浮置栅极中存储的电荷类型，便可进行存储编程(“1”)和擦除(“0”)信息的操作。同时，在一个单元内存储1个比特的操作被称为单层单元(SLC)。氮化硅内部捕获的电子数量与单元晶体管的阈值电压成正比，因此，当俘获大量电子时，即实现了高阈值电压；捕获少量电子会造成低阈值电压。 根据存储方式的不同，NAND Flash又可分为SLC、MLC、TLC和QLC，对应存储单元分别可存放 1、2、3和4bit的数据，存储密度越大，其寿命越短且速度越慢，但容量越大成本越低。以SLC和QLC为例，SLC相对于其他类型NAND闪存颗粒单位容量成本更高，但其数据保存时间更长、读取速度更快，反之，QLC拥有较高的存 ………………………………