【进展】中国科大在自旋神经形态器件研究中取得新进展；国内科研团队采用新方法成功制备氮掺杂非晶单层碳；

主要观点总结

本文主要报道了以下内容：中国科学技术大学在自旋神经形态器件研究中取得新进展；国内科研团队成功制备了氮掺杂非晶单层碳；西安电子科技大学通院池育浩老师和李颖教授在多载波调制技术上取得重要进展。此外，还包括其他新闻焦点。

关键观点总结

关键观点1: 中国科学技术大学在自旋神经形态器件研究中取得新进展

基于反铁磁氧化钴材料，研究团队成功开发了具有非线性响应和短时存储特性的神经形态器件，并在储池计算及多维度信息处理方面展示了其潜力。该成果被选为国际知名学术期刊《Nano Letters》的封面论文。

关键观点2: 国内科研团队采用新方法成功制备氮掺杂非晶单层碳

利用纳米尺度二维限域模板进行小分子聚合的液相合成策略，成功制备出氮元素掺杂的单原子层非晶碳材料。该成果在线发表于《自然》杂志。

关键观点3: 西安电子科技大学通院池育浩老师和李颖教授在多载波调制技术上取得重要进展

针对现有正交频分复用（OFDM）在高速移动通信应用中的不足，提出了交织频分复用（IFDM）技术，并通过与浙江大学合作，取得了重要进展。相关研究成果发表于无线通信权威期刊《IEEE Wireless Communication Letters》。

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1.中国科大在自旋神经形态器件研究中取得新进展； 2.国内科研团队采用新方法成功制备氮掺杂非晶单层碳； 3.西安电子科技大学通院池育浩老师和李颖教授在多载波调制技术上取得重要进展； 1.中国科大在自旋神经形态器件研究中取得新进展； 近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授和高南特任研究员团队在自旋神经形态器件研究中取得新进展。研究团队基于反铁磁氧化钴材料，成功开发了具有非线性响应特性和短时存储特性的神经形态器件，并展示其了在储池计算及多维度信息处理方面的应用潜力。该成果以“An Antiferromagnetic Neuromorphic Memory Based on Perpendicularly Magnetized CoO”为题，近期发表在国际知名学术期刊《Nano Letters》上，并被选为封面论文。 后摩尔时代硅基器件的发展受到严峻的挑战，自旋电子器件凭借其低功耗、高工作速度、抗 ………………………………