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本文 约4000字 ，建议阅读 8 分钟 平均绝对误差仅 2.2 meV。 清华大学研究人员利用原创的深度学习密度泛函理论哈密顿量 (DeepH) 方法，发展出 DeepH 通用材料模型，并展示了一种构建「材料大模型」的可行方案，这一突破性进展为创新材料发现提供了新机遇。 在材料设计中，了解其电子结构与性质是预测材料性能、发现新材料、优化材料性能的关键。过去， 业界广泛使用密度泛函理论 (DFT) 来研究材料电子结构和性质，其实质是将电子密度作为分子（原子）基态中所有信息的载体 ，而不是单个电子的波函数，从而将多电子体系转化为单电子问题进行求解，既简化了计算过程，又可以确保计算精度，能更准确地反映孔径分布。 然而，DFT 的计算成本极高，通常只能用于研究小尺寸的材料系统。受到材料基因组倡议的启发，科学家们开始尝试利用 DFT 构建
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