Nat. Electron.：三维晶体管与二维半导体用于未来CMOS缩放

主要观点总结

文章介绍了使用二维半导体材料设计三维晶体管的框架，特别是针对原子薄的过渡金属硫族化合物在CMOS技术中的应用。该设计基于非平衡格林函数量子输运模拟，展示了不同的三维晶体管性能比较分析，表明某些二维半导体材料有望缩小CMOS尺寸并提高能效。此外，文章还介绍了上海昂维科技有限公司提供的二维材料相关服务和产品。

关键观点总结

关键观点1: 微信群建立

为了方便同学交流学习，解决讨论问题，建立了微信群，作为互助交流的平台。加入方式需添加编辑微信并告知相关信息，审核通过后进入对应的交流群。

关键观点2: 成果介绍

二维半导体材料在CMOS技术中有潜在应用，特别是在设计三维晶体管方面。基于非平衡格林函数量子输运模拟，对不同的三维晶体管进行了性能比较分析，发现某些二维半导体材料具有优越性。

关键观点3: 文献信息

介绍了相关文献的信息及链接，并提到了文章中涉及的主要研究成果和技术细节。

关键观点4: 公司介绍和服务内容

上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶、薄膜等耗材以及微纳加工服务、测试分析等。欢迎老师和同学咨询。

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点击蓝字   关注我们 为了方便各位同学交流学习，解决讨论问题，我们建立了一些微信群，作为互助交流的平台。 加微信交流群方式: 1.添加编辑微信:13162018291； 2.告知:姓名-课题组-研究方向，由编辑审核后邀请至对应交流群(生长，物性，器件)； 欢迎投稿欢迎课题组投递中文宣传稿，免费宣传成果，发布招聘广告，具体联系人：13162018291（微信同号）             成果介绍 原子薄2D半导体——尤其是过渡金属硫族化合物——是后硅基CMOS场效应晶体管的潜在沟道材料。然而，它们在CMOS技术中的应用将需要在三维（3D）晶体管中实现。 有鉴于此， 美国加州大学圣塔芭芭拉分校Kaustav Banerjee等报道了一个使用2D半导体设计可缩放三维晶体管的框架 。本文的方法基于非平衡格林函数量子输运模拟，该模拟结合了非理想肖特基接触和包容性电容计算的影 ………………………………