文章预览
宽带隙（Wide-bandgap, WBG）钙钛矿带隙通常通过卤素离子（Cl - 、Br - 、I - ）的比例来调控，过高的Br含量会导致宽带隙钙钛矿成膜过程中结晶速度快，产生很多的 体相 及晶面缺陷，这些缺陷会成为载流子的非辐射复合中心，引起严重的开路电压（Open-circuit voltage, V OC ）损失。由于I - /Br - 的离子迁移势垒不同，在光照或加热条件下会引起明显的相分离，影响器件的性能。这两个主要问题严重限制了宽带隙钙钛矿太阳电池的发展。 基于此问题，研究人员选择采用界面工程策略，对钙钛矿薄膜进行后界面处理，从而达到钝化界面缺陷、抑制离子迁移的目的，最终实现器件效率和稳定性的同步提升。目前，大多数研究集中于降低 V OC 损失来提高器件性能，尽管 V OC 损失的降低可以有效提高宽带隙钙钛矿太阳电池的效率，但不能有效解决器件长期稳定性的
………………………………
