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PECVD镀膜工艺详解

洁净工程联盟  · 公众号  ·  · 2024-08-30 11:20

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1. PECVD_镀膜的定义 1.1 PECVD概念 PECVD__Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition(等离子增强化学气相沉积) 1.2 等离子体说明 等离子体:气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态,这种形态就称为等离子态即第四态。 2. PECVD_镀膜的原理 2.1 PECVD的方法 2.2 PECVD工作原理 PECVD法生长氮化硅薄膜是利用非平衡等离子体的特性,即等离子体分子、原子、离子或激活基团与周围环境相同,而其中非平衡电子由于电子质量很小,其平均温度可以比其他粒子大一二个数量级,所以通常条件下,要高温(300℃-450℃)才能实现许多反应。 在沉积过程中,特气NH3与SiH4分子在高频的作用下热运动剧烈,相互间碰撞使其分子电离,进而生成SiNx。 2.3 工作原理—SINA板P 1. SiNA系统采用的是一种 间接微波 ………………………………

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