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点击蓝字 关注我们 前言: 在之前的文章,小编有提到继电器和 MOS 都可以用作 BMS(电池管理系统) 中控制电池充放电的开关。相比继电器,MOS 管在开关应用中具有更快的速度、更小的体积、更低的功耗、更高的可靠性、更少的噪声以及更长的耐用性。MOS 管可以根据导通方式、结构、材料、电流方向和应用进行分类,包括增强型和耗尽型、平面型和垂直型、硅和宽禁带材料、N 沟和 P 沟、以及功率和信号 MOSFET。本文主要 围绕 N-MOS & P-MOS 进行介绍,让读者更清楚 MOS 管在做开关时的控制原理及选型要点。 一、N-MOS & P-MOS 的导通截止原理: G 极(栅极)、 S 极(源极)、 D极(漏极) NMOS和PMOS晶体管的导通和截止原理主要依赖于它们的栅极电压: ① N-MOS:栅极 G 电压高于源极 S 电压时(如 V(GS)=5V),N-MOS 管 导通 ;而当栅极电压低于源极电压时,N
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