Advanced Electronic Materials | 二维材料电阻式存储器件最新设计制备!

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点击“蓝字”关注我们，了解更多信息 研究背景 电阻式随机访问存储器（RRAM）作为克服冯·诺伊曼瓶颈的潜在解决方案，近年来备受关注。其被广泛探索用于场地计算（即内存计算），显示出高吞吐量和超低功耗的潜力。然而，要与商业级存储器竞争，RRAM技术需要挑战SRAM的开关速度、DRAM的存储密度以及FLASH存储器的非挥发性，同时还要提供卓越的可扩展性和在更低核心电压下工作的能力。具体来说，理想的突触器件需要展示高ON/OFF比的明显电阻状态、低开关电压的可控电位增强和放松能力、长达超过10年的保持时间，以及能够经受超过10^6次低电阻状态到高电阻状态和高电阻状态到低电阻状态的开关耐久性。现有的RRAM技术，特别是过渡金属氧化物（TMO）基和导电桥接RAM（CBRAM），面临着电阻性切换过程中的随机性变异等挑战，这限制了它们的广泛 ………………………………