成果 | 王新强、王涛团队在氮化镓缺陷声子研究中取得重要进展

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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室王新强教授、北京大学电子显微镜实验室王涛高级工程师与美国橡树岭国家实验室Lucas Lindsay教授合作，实现了对GaN棱柱状堆垛层错（PSF）中缺陷局域声子的原子尺度观测。相关研究成果以“GaN 中缺陷引起的局域振动的原子尺度可视化”（ Atomic-scale visualization of defect-induced localized vibrations in GaN）为题，于2024年10月20日发表在《自然·通讯》（Nature Communications）。 Ⅲ族氮化物半导体材料因其高电子迁移率、大击穿场强和可调直接带隙等特性，在高频、高功率光电器件和电力电子器件等领域展现出巨大的应用潜力。随着器件尺寸的缩小、集成度的提升及功率密度的增加，高效的热输运对于确保器件可靠性、防止过热和提高器件性能至关重要。Ⅲ族氮化物半导体中的热输运由声子主导，缺陷会导致 ………………………………