最新FiFET技术，英特尔晶圆代工的关键

文章预览

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容由半导体行业观察（ID：icban k）编译自IEEE，谢谢。 上周，在VLSI 研讨会上，英特尔详细介绍了将为其高性能数据中心客户提供代工服务奠定基础的制造工艺。在相同的功耗下，intel 3 工艺比之前的intel 4工艺性能提升了 18% 。在公司的路线图中，intel 3 是最后一种使用鳍式场效应晶体管( FinFET )结构的产品，该公司于 2011 年率先推出了这种结构。但它也包括英特尔首次使用一项对其计划至关重要的技术，尽管 FinFET 不再是尖端技术。更重要的是，这项技术对于该公司成为代工厂并为其他公司制造高性能芯片的计划至关重要。 这种材料被称为偶极功函数金属（dipole work-function metal），它允许芯片设计人员选择具有几种不同阈值电压的晶体管。阈值电压是器件开启或关闭的水平。使用intel 3 工艺 ………………………………