黄仁勋：Blackwell芯片设计缺陷已修复，100%是英伟达的错

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目前，英伟达的Blackwell芯片需求旺盛，市场对其需求远超供应，导致供不应求的局面持续存在。最近，戴尔、谷歌、微软等均表示，搭载英伟达Blackwell人工智能加速器的设备将很快出货。 10月23日，英伟达首席执行官黄仁勋表示，在台积电的帮助下，英伟达最新款Blackwell AI芯片的设计缺陷已得到修复，该缺陷此前曾影响生产。 今年3月，英伟达发布了Blackwell芯片，并计划在第二季度进行发货，但随后遭遇了发货推迟的情况。这一推迟影响到了Meta、Alphabet和微软等客户。造成推迟的原因是Blackwell芯片存在设计缺陷，导致良品率较低。 据悉，Blackwell芯片在设计上存在重大缺陷，特别是在连接两个Blackwell GPU的关键电路上，导致了生产良率的下降。 Blackwell芯片采用台积电4纳米（nm）工艺制造，包含2080亿个晶体管，相比前代H100芯片的800亿个晶体管，晶体管 ………………………………