原厂动态 | 英诺赛科推出30V VGaN，电压范围再拓展

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点击蓝字 关注我们 英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围 INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。 该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景 ，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击的优势在应用中更为显著。 产品特性 双向导通能力 先进的超低导通电阻低压技术 超小封装体积 零反向恢复充电电量 产品优势 INV030FQ012A 与传统 MOSFET 相比，具备以下优势： FCQFN 4x6mm 封装，一颗 GaN 能替代两颗 MOSFET，较传统MOSFET 占板面积可缩小 50%； Ron(max) 1.2mΩ，超低导通电阻，较传统 MOSFET 减少 50%； 具有更宽的 SOA，鲁棒性高，能耐受短路冲击。 同时，INV030FQ012A 的封装与之前推出的 40V VGaN IN ………………………………