2024, Nature Electronics——从微米到纳米！CMOS兼容应变工程在MoS₂晶体管中的应用

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文章链接： https://www.nature.com/articles/s41928-024-01244-7 亮点： 1. CMOS兼容的应变工程方法 ：研究展示了通过氮化硅封装层对MoS₂施加应变，以CMOS兼容的方式在350°C的低温下实现晶体管性能提升。 2. 高性能单层MoS₂晶体管 ：通过应变增强，背栅和双栅MoS₂晶体管的导通电流提升了45%到60%不等，展现出显著的性能改善。 3. 纳米级缩小对性能的影响 ：当器件尺寸和接触点从微米缩小到200 nm时，饱和电流显著提升。张应变降低了接触区的肖特基势垒，进一步减小器件尺寸有望继续提高应变和性能。             摘要 应变工程 在现代硅电子学中扮演了重要角色，自20世纪90年代引入以来，已作为提高迁移率的手段于2000年代初实现商业化。在兼容互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的条件下实现类似的二维（2D）半导体应变工程，可能提升2D材料晶体管的工业 ………………………………