R课堂 | 通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）

主要观点总结

本文介绍了通过仿真比较三相调制逆变电路中PrestoMOS™和普通SJ MOSFET的效率。结果显示，PrestoMOS™因反向恢复特性优异，效率更高，损耗更低。这是本系列文章的最后一篇。

关键观点总结

关键观点1: 三相调制逆变电路的效率比较

文章通过仿真比较了PrestoMOS™和普通SJ MOSFET在三相调制逆变电路中的效率。结果显示，PrestoMOS™的效率更高，尤其在输出功率较高时，损耗改善更明显。

关键观点2: 仿真条件和结果

仿真条件包括栅极驱动电压、电源电压、电感、开关频率、栅极电阻和输出功率的设置。结果显示，PrestoMOS™的效率更高，其反向恢复特性对提高效率有显著影响。

关键观点3: 产品应用与购买信息

文章提供了产品咨询和购买方式的二维码，方便读者了解更多信息和购买产品。

文章预览

本文的关键要点 通过仿真确认了三相调制逆变电路的电路效率和1个MOSFET的损耗。 通过在三相调制逆变电路中对PrestoMOS™和普通SJ MOSFET进行比较，证实使用反向恢复特性出色的PrestoMOS™的情况下效率更高（损耗更低）。 在三相调制逆变电路中，反向恢复特性出色的PrestoMOS™在效率方面优势显著。 资料下载 活用Si(硅)功率器件特征的应用事例 更多内容请前往 R课堂下载中心 查看 本文将介绍第四个主题，也是本系列文章的最后一篇“通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率”。这次是通过仿真来进行效率比较的。 逆变电路的种类和通电方式 三相调制逆变电路的基本工作 通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果） 通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真） 通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS ………………………………