2025, ACS Nano——一步转移工艺：2T0C DRAM的无电容解决方案

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文章链接： https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.4c15750              摘要 动态随机存取存储器（DRAM）一直是现代计算的基石，但随着技术的缩小，尤其是存储电容的减小与OFF电流的增加，DRAM面临诸多挑战。 无电容的2T0C DRAM架构因其优越的面积效率与较低的刷新率需求而受到关注 。二维（2D）材料的引入进一步增强了微缩潜力，但无悬挂键的特性使高质量电介质的沉积变得复杂。本文提出了一种基于六方氮化硼（h-BN）的工艺，用于二维晶体管中电介质和电极的一步转移，确保界面的洁净。 转移的氧化铝（Al 2 O 3 ）展现了极佳的平整度与均匀性，保持了二维半导体的本征特性，且未引入掺杂效应 。MoS 2 晶体管表现出极低的界面陷阱密度（约3 × 10¹¹ cm⁻² eV⁻¹）和极低的漏电流密度（10⁻⁷ A cm⁻²），使得门堆栈中的电荷存储更加高效。此工艺 ………………………………