昕课堂丨浅析昕感科技在沟槽SiC MOSFET方向的研究专利

主要观点总结

本文介绍了硅和碳化硅功率MOSFET中的沟槽技术，包括其优势及在应用中的问题。重点介绍了昕感科技在沟槽SiC MOSFET技术方面的专利和创新产品。文章涵盖了不同专利的技术特点及其应用场景，并提到了昕感科技的产品性能和可靠性。

关键观点总结

关键观点1: 沟槽SiC MOSFET的优势

沟槽SiC MOSFET相比传统平面型结构，能发挥压缩元胞尺寸、消除JFET电阻、提高沟道迁移率等优势，降低器件的比导通电阻，具有广泛的应用前景。

关键观点2: 当前沟槽SiC MOSFET存在的问题

当前沟槽SiC MOSFET存在高界面态、高氧化层电场、低栅氧可靠性等问题，限制了其在商业产品中的使用。

关键观点3: 昕感科技在沟槽SiC MOSFET技术方面的专利和创新

昕感科技在沟槽SiC MOSFET技术上进行了多项专利布局，涵盖了不同结构和制备方法的专利。这些专利包括双重多层屏蔽结构、双沟槽结构、特殊形状栅极沟槽结构等，旨在解决现有问题并提升器件性能。

关键观点4: 昕感科技的产品性能和可靠性

昕感科技的产品性能和可靠性已与国际一流企业相当，并在不同电压平台上完成了数十款SiC器件和模块产品的量产。部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。

文章预览

在硅和碳化硅功率MOSFET领域， 我们可以根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。 图1.平面MOSFET（左）和沟槽MOSFET（右）典型结构1 相比较于传统平面型（planar）结构，沟槽（trench）SiC MOSFET能发挥压缩元胞尺寸、消除JFET电阻、提高沟道迁移率等优势，可以降低器件的比导通电阻，具有广泛的应用前景。但当下沟槽SiC MOSFET也存在高界面态、高氧化层电场、低栅氧可靠性等问题，限制了其在商业产品中的使用。 为开发高质量的沟槽SiC MOSFET产品，昕感科技很早便开始先进沟槽型技术的布局，已形成沟槽型SiC MOSFET方案。 目前已公开的先进沟槽型SiC MOSFET结构设计相关专利达到10项，其中9项已实现授权，专利文件中也都包含完整的电学仿真结果证明新结构的性能优越性，并附上完整的制造流程指导方案的实现。授权专利中的结构可以分为四大类 ………………………………