摩根士丹利：新一轮内存“超级周期”，2025年将出现“前所未有”的供需失衡

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本文转载自： 华尔街见闻 作者： 赵颖 人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。 摩根士丹利在新一期报告中指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高： 人工智能的快速发展将导致DRAM和 HBM 的供需失衡， 预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个 DRAM市场 的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。 由于DRAM供应不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为内存市场超级周期提供了动力。 内存的价格也将水涨船高，预计商品存储产品的价格将在2024年每季度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领价格上涨。 进一步来看，在内存市场中的战略地位的公司 SK海力士 和 ………………………………