摩根士丹利：新一轮内存“超级周期”，2025年将出现“前所未有”的供需失衡

主要观点总结

本文描述了内存市场正迎来前所未有的“超级周期”，由于人工智能需求的推动和过去两年资本支出的不足，存储出现“前所未有”的供需失衡。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。文章还提到了SK海力士和三星等内存行业中的公司市场份额将进一步增长，并给出了相关的数据预测和目标价提高的情况。

关键观点总结

关键观点1: 内存市场迎来超级周期

由于人工智能需求的推动和过去两年资本支出的不足，内存市场正面临前所未有的超级周期，存储出现供需失衡，内存价格水涨船高。

关键观点2: HBM需求量大幅增加

HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%，其市场份额将不断增长，预计到2025年HBM总可寻址市场（TAM）将显著增长。

关键观点3: SK海力士和三星市场份额增长

在这个内存市场超级周期中，SK海力士和三星等内存行业中的公司市场份额将进一步增长。摩根士丹利给出了收益预测和价格目标变化，对SK海力士和三星电子的目标价进行了提高。

关键观点4: 客户行为发生变化

客户的行为已经发生了变化，他们现在更加重视确保能够获得足够的内存供应，而不是仅仅关注价格。由于供应的不确定性，客户愿意为确保供应支付更高的价格。

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本文转载自： 华尔街见闻 作者： 赵颖 人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。 摩根士丹利在新一期报告中指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高： 人工智能的快速发展将导致DRAM和 HBM 的供需失衡， 预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个 DRAM市场 的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。 由于DRAM供应不足，加之过去两年的资本支出不足，没有新的晶圆厂或大规模晶圆可用，这将为内存市场超级周期提供了动力。 内存的价格也将水涨船高，预计商品存储产品的价格将在2024年每季度以两位数速度上涨，2025年HBM的价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领价格上涨。 进一步来看，在内存市场中的战略地位的公司 SK海力士 和 ………………………………