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三星晶圆代工在美国晶圆代工论坛(SFF) 上公布了 其芯片制造工艺技术的最新路线图。在论坛期间,它概述了2纳米级节点、1.4纳米级节点以及将在未来三年内向客户提供的具有背面供电的生产技术的计划。 2025 年,三星将推出 SF2 节点(以前称为 SF3P),该节点展示了功率、性能和面积(PPA),公司将其归功于 2 纳米级工艺技术。这种制造工艺主要针对高性能计算和智能手机应用而设计,因此三星对其寄予厚望。此外, 在 2025 年拥有 2nm 级节点也使三星正式领先于台积电,后者将在 2025 年底才开始采用 N2 工艺制造芯片。 然而,这次重新命名再次凸显了“纳米”在今天已不再重要。 2026 年,三星计划推出 SF2P,这是 SF2 的性能增强版本(可以称之为 SF3P+? 该节点将进一步完善SF2,其特点是速度更快但密度更低的晶体管,表明正在向提高速度转变,
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