中科院福建物构所孙志华最新Angew：I3插层二维钙钛矿中反铁电-铁电序的可见光辅助相位转换

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       反铁电已成为一种有前途的电活性材料分支，因为它们具有由电场诱导的反极性到极性相变的有趣物理属性。然而，切换相邻亚晶格极化需要极高的电场强度，这对开发 反铁电 分子系统提出了巨大挑战。尽管光照射作为一种非接触、非破坏性的操控工具来优化物理性质非常有效，但反铁电性的光学控制仍未得到探索。鉴于此，2024年9月2日 中科院福建物构所孙志华 于Angew刊发I 3 插层二维钙钛矿中反铁电-铁电序的可见光辅助相位转换的研究成果，通过将光敏三碘化物 I 3 - 阴离子引入2D钙钛矿家族，设计了第一个 I 3 - 插层 反铁电 分子，即 (t-ACH) 2 EA 2 Pb 3 I 10 (I 3 ) 0.5 ·((H 3 O)(H 2 O)) 0.5 (1，t-ACH=反式-4-氨基甲基-1-环己烷羧酸盐，EA=乙铵)。 I 3 - -插入可产生1.65 eV的超窄带隙和强吸收。就 反铁电 结构而言，电偶极子的反平行排列导致自发极化为4.3 ………………………………