SiC MOSFET 器件五大特性

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点击蓝色   关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅 MOSFET 的开关频率。 SiC MOSFET 具有独特的栅极驱动要求。一般来说，它在导通期间需要一个 20V、Vdd 栅极驱动来提供尽可能低的导通电阻。与对应的硅器件相比，它具有更低的跨导、更高的内部栅极电阻，且栅极导通阈值可低于2V。因此，在关 ………………………………