SK海力士推出全球首款 1c DARM——第六代10纳米级制程技术

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重磅新课 ！ 5折优惠 即将结束！ ESD与Latch-up:高抗性与解决方案 数字中后端课程 DFT设计与实现(理论) DFT设计与实现(实践) 来源： technews 韩国存储器大厂 SK海力士宣布，该公司已经成功开发出全球首次采用第六代10纳米级制程技术的16GbDDR5 DRAM。另外，SK海力士还展现了10纳米等级的超微细化存储制造技术。 SK海力士强调，随着10纳米级DRAM技术的世代传承，微细技术的难度也随之加大。但是，公司以获得业界最高性能认可的第五代 （1b） 技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在2024年内完成1c制程技术的DDR5 DRAM的量产准备，从2025年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。 SK海力士以1b制程技术的DRAM平台扩展方式开发了1c制程技术。SK海力士技术团队认为，如此不仅可以减少制程高度精细化过程中可能发生的错误尝试，还可 ………………………………