氮化镓在高压应用中提供强大的解决方案

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▲  点击上方 蓝字 关注我们，不错过任何一篇干货文章！ 在电子工程领域，向更高工作电压发展的趋势是由各种应用中对提高效率和功率密度的需求所推动的。氮化镓（GaN）技术正作为一种强大的解决方案来满足这些需求。 在工业环境中，内部电压轨也在向上发展。这些更高的电压对于在电机驱动、压缩机和大型HVAC系统等应用中提供更高功率至关重要。 新兴经济体的消费者和工业部门快速增长，面临电网不稳定的挑战。电压波动和线路膨胀（经常由于老化基础设施而加剧）对电子系统构成了重大威胁。 硅器件在高压环境中的挑战 所有功率器件都有定义的操作限制。例如，725 V的硅MOSFET通常可以安全工作到650 V，并降额到725 V。长期暴露在高于725 V的电压下会导致雪崩击穿，导致局部加热和潜在的结构损坏。电压尖峰（如闪电袭击或电源接线错误 ………………………………