DRAM将迎来超级周期？

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👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容来自半导体行业观察（ID： i c ba nk）综合，谢谢。 AI狂潮推动记忆体需求飙升，加上过去两年记忆体厂资本支出不足，华尔街投行摩根士丹利高喊，DRAM市场正迎来前所未见的「超级周期」，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格也跟着水涨船高，第三季报价估季增15％。 国际大厂戮力投入高频款记忆体（HBM）消耗庞大产能，加上过去两年资本支出不足、没有新的晶圆厂扩增产能，导致标准型DRAM供应锐减。摩根士丹利（大摩）预期，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格将随之走扬，第三季报价估计增15％。 无独有偶，瑞银证券最新报告也与大摩看法相仿，透露国际大厂抢进HBM对标准型DRAM造成产能排挤，为DRAM市场迈向超级周期提供动力，已成外资圈共识。 HBM所需晶元容量是标准型DRAM的两倍，而现阶段H ………………………………