桂林理工大学徐军古： Ga/Mo共掺杂稳定的四方LaNbO₄材料的高浓度氧空位及电导率提升

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▲第一作者：桂林理工大学硕士研究生段小旭 共同通讯作者：何伦华研究员，唐明学教授，徐军古研究员 通讯单位：中国散裂中子源，东莞、北京科技大学、桂林理工大学 论文DOI：10.1016/j.actamat.2024.120345 （点击文末「阅读原文」，直达链接）     全文速览 本文报道了通过在Nb位上等摩尔Ga和Mo共掺杂，在LaNbO 4 中实现了由氧空位传导的高氧离子电导率，例如在900 ºC下为3×10 −3 S cm -1 。这种共掺杂可以有效地将高温四方相LaNbO 4 稳定至室温。通过计算模拟，深入研究了氧空位缺陷的局域结构和导电机制。结果表明，氧空位是通过将两个相邻的孤立NbO 4 四面体转变为一个共顶角的Nb 2 O 7 单元来容纳的，氧离子的迁移是通过Nb 2 O 7 单元的断裂和重整以及其他相邻NbO 4 四面体的协同旋转和变形来完成的。这些研究结果使LaNbO 4 基材料有望成为新型氧空位 ………………………………