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研究背景 高热电性能通常通过协同优化两个甚至三个热电参数来实现,而这些参数通常是相互矛盾的。 为了解决这一问题, 马普固体化学物理研究所所长Claudia Felser教授、以及Yu Pan 合作在“Nature Materials”期刊上发表了题为“A magneto-thermoelectric with a high figure of merit in topological insulator Bi 88 Sb 12 ”的最新论文。本文展示了利用磁热电相关性作为策略,在拓扑材料中实现增强的塞贝克系数和降低的热导率的同时提升。 作者报告了在单晶Bi 88 Sb 12 拓扑绝缘体中,180K和0.7T下,获得了较大的磁塞贝克效应和高达1.7± 0.2的磁热电优值。这一结果填补了低于300K的高性能空白,并对低温热电应用具有良好的前景。较大的磁塞贝克响应归因于超高迁移率和狄拉克带的色散。低磁场下实现高热电性能的应用可以扩展到类似特征的快速出现的拓扑材料
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