英诺赛科发布100V VGaN，支持48V BMS应用

文章预览

英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A ， 可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。 英诺赛科产品部Shawn表示：“ 一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背Si MOSFET ， 实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻，降低损耗 。VGaN 器件采用单 Gate 设计，通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电保护可放电、放电保护可充电；同时大幅减少器件数量，缩小占板面积，降低整体系统成本。” 为便于客户验证和导入，英诺赛科同步提供 BMS 系统解决方案，设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。 INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中体现出明显优势，具备巨大的市场潜力。 产品特性 支持双向导通，双向截止，无反向恢复 极低的栅极电荷 超低的导通电阻 100V/3.2mΩ 超小的封装体 ………………………………