碳化硅：爆发新契机

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随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。SiC作为 第三代半导体 以其优越的性能，再掀风潮！ 碳化硅：更小、更高效的化合物半导体材料 碳化硅（SiC）是由碳和硅组成的化合物，因此得名“化合物半导体”，作为第三代半导体材料的佼佼者，以其宽带隙特性，在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨大的潜力，是未来半导体技术发展的重要方向。 碳化硅能够在较薄的耐压层上实现与硅相同的击穿电压，这为设计更小型化、更高效的电力电子器件提供了可能。碳化硅电子 迁移率 高，导电时 电阻损耗 低，这使得它们在功率转换应用中比硅更为高效，尤其是在高温、高频操作中表现出色。 6英寸到8英寸的过渡推动 由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货，因此  8 英寸 SiC 平台 ………………………………