​英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革

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该技术将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。 在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入，以重新定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。 在英飞凌，CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术，集成快速体二极管，能够让设计人员和工程师前所未有地获益。该技术是对英飞凌现有宽禁带半导体技术的有力补充，将对数据中心、可再生能源和消费电子等行业产生深远影响。 在了解关键特性和益处之前，我们先来看看CoolMOS™ 8的起源。 CoolMOS™ 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS™ 7产品系列。它是CoolGaN™和CoolSiC™宽 ………………………………