主要观点总结
文章介绍了维持线粒体正常功能和稳态对细胞健康的重要性，并描述了多种线粒体质量控制途径。重点介绍了一种新的线粒体内膜选择性质量控制机制，该机制通过形成vesicles derived from the IMM（VDIMs）来清除受氧化应激损伤的线粒体内膜，防止损伤扩散。文章还探讨了VDIMs的形成机制、与MDVs的区别、以及与溶酶体的相互作用。最后，文章探讨了VDIMs与哪种自噬囊泡形成途径相关联，并指出这个质量控制机制对于维持细胞健康状态的重要性。
关键观点总结
关键观点1: 线粒体正常功能和稳态对细胞健康至关重要。
线粒体质量控制途径包括线粒体自噬、线粒体分裂与融合、MDVs和线粒体蛋白质量控制等。
关键观点2: 发现了新的线粒体内膜选择性质量控制机制。
该机制通过形成VDIMs来清除受氧化应激损伤的线粒体内膜，维持线粒体完整性和功能稳态。
关键观点3: VDIMs的特性及形成机制。
VDIMs是来源于线粒体内膜的小囊泡结构，具有IMM标记，不含有线粒体基质和线粒体外膜标记。其形成依赖于嵴组织系统的破坏，与MDVs有所不同。
关键观点4: VDIMs在氧化应激条件下的作用。
VDIMs在氧化应激条件下形成增加，含有被氧化的脂类物质和mtDNA。它们被递送到溶酶体进行降解，专门用于清除受损的IMM组分。
关键观点5: VDIMs与溶酶体的相互作用。
VDIMs的形成需要线粒体外膜上的VDAC1和溶酶体上的TRPML1之间的协调。ESCRT机械装置参与VDIMs的膜切割和囊泡内化。
文章预览
撰文 | Sure 维持线粒体的正常功能和稳态对于细胞健康至关重要，多个线粒体质量控制途径参与其中，包括了线粒体自噬 （mitophagy） 、线粒体分裂与融合 （fission和fusion） 、 线粒体衍生囊泡 （ MDVs ） 和线粒体蛋白质量控制等 【1-3】 。其中线粒体自噬和衍生囊泡是两种直接整个清除受损线粒体的途径。经典的线粒体膜电位理论认为线粒体内部具有统一的膜电位，当膜去极化时，受损的线粒体会通过线粒体自噬被清除。然而，最近的研究显示线粒体内的每个嵴都是独立且高度动态的功能单元，各自保持独立的膜电位 【4,5】 。 线粒体内膜 （ IMM ） 由两部分组成：内边界膜 （IBM） 和嵴。嵴连接将嵴与内边界膜分开，并形成特化的区域，这种分区化可能有助于防止损伤扩散。有人认为存在选择性清除受损IMM的机制，而不会破坏整个线粒体。 近日，
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