存储芯片第一龙头，一季报业绩大增74314%+半年报业绩大增14177%，254家机构重仓新进

主要观点总结

文章讨论了中国存储芯片领域的发展和变革。中国在存储芯片领域的成功国产化以及科研机构的重大突破，如复旦大学在8纳米级闪存芯片技术上的成就和清华大学推出的存算一体芯片等。此外，长江存储与合肥长鑫在3D NAND闪存与DRAM存储芯片领域的进展也备受关注。这些发展预示着中国芯片半导体产业自主掌控力的增强，并有望在全球舞台上发挥重要作用。文章还提到了A股市场中有潜力的三家企业，并重点介绍了一家企业的业绩和增长情况。

关键观点总结

关键观点1: 中国打破存储芯片国际垄断

文章明确指出，经过数年的不懈努力，中国在存储芯片领域已经实现了国产化的重大进展，打破了国际垄断。

关键观点2: 科研机构的显著成就

复旦大学在8纳米级闪存芯片技术上取得了显著成就，而清华大学则推出了全球首颗存算一体芯片，这些技术成果被视为存储技术的前沿。

关键观点3: 企业突破与赶超

长江存储与合肥长鑫分别在3D NAND闪存与DRAM存储芯片领域取得突破，技术实力已赶超三星、海力士。

关键观点4: 市场潜力与竞争实力

文章提到了A股市场中有潜力的三家企业，并详细描述了其中一家企业的业绩和增长情况。这家企业在存储芯片领域具有巨大的潜力和竞争力，股价和业绩都有望实现飞跃。

文章预览

明确指出，三星与海力士长期主导的市场格局正面临变革。 经过数年的不懈努力，中国在存储芯片领域成功打破了国际垄断，实现了国产化的重大进展。这绝非空谈，而是已发生的现实。 复旦大学在 8 纳米级闪存芯片技术上取得了显著成就，其新品能在惊人的 20 纳秒内完成超高速编程，且拥有长达 10 年的数据保持能力、高达 10 万次的寿命周期以及卓越的多态存储性能。 清华大学更是推出了全球首颗存算一体芯片，此技术被视为存储技术的前沿候选者，集成了 6.5 万个忆阻器单元，支持多种先进机器学习算法，包括卷积神经网络、支持向量机、 K- 均值聚类等，并具备片上学习能力，其性能直逼甚至超越当前顶尖的 HBM 存储芯片。 此外， 长江存储与合肥长鑫也分别在 3D NAND 闪存与 DRAM 存储芯片领域取得突破，技术实力已赶超三星、海力士。 展望 ………………………………