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明确指出，三星与海力士长期主导的市场格局正面临变革。 经过数年的不懈努力，中国在存储芯片领域成功打破了国际垄断，实现了国产化的重大进展。这绝非空谈，而是已发生的现实。 复旦大学在 8 纳米级闪存芯片技术上取得了显著成就，其新品能在惊人的 20 纳秒内完成超高速编程，且拥有长达 10 年的数据保持能力、高达 10 万次的寿命周期以及卓越的多态存储性能。 清华大学更是推出了全球首颗存算一体芯片，此技术被视为存储技术的前沿候选者，集成了 6.5 万个忆阻器单元，支持多种先进机器学习算法，包括卷积神经网络、支持向量机、 K- 均值聚类等，并具备片上学习能力，其性能直逼甚至超越当前顶尖的 HBM 存储芯片。 此外， 长江存储与合肥长鑫也分别在 3D NAND 闪存与 DRAM 存储芯片领域取得突破，技术实力已赶超三星、海力士。 展望
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