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iNature 菱形堆积的过渡金属二硫族化合物(3R-TMDs)表现出更高的载流子迁移率、滑动铁电性和相干增强的非线性光学响应。 然而，大型多层3R-TMD单晶的表面外延生长是困难的。 2024年7月5日，北京大学刘开辉、中科院物理研究所张广宇及 中国人民大学 刘灿共同通讯在 Science 在线发表题为“ Interfacial epitaxy of multilayer rhombohedral transition-metal dichalcogenide single crystals ”的研究论文，该研究 报告了一种界面外延方法，用于几种组合物的生长，包括二硫化钼(MoS 2 )，二硒化钼，二硫化钨，二硒化钨，二硫化铌，二硒化铌和亚硒化钼。 在单晶Ni衬底和生长层之间的界面上连续添加金属和硫原，确保了一致的3R堆叠顺序，并将厚度控制在几层到15000层之间。综合表征证实了这些薄膜的大规模均匀性、高结晶度和相纯度。生长的3R-MoS 2 在双层和三层的室温迁移率分别
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