科研奇才，本科生连发3篇Nature、Science正刊，这个神仙团队，4年4篇正刊！

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拓扑平带中的电子可以在相关效应的驱动下形成新的拓扑态。五层菱面体石墨烯/六方氮化硼 (hBN) 莫尔超晶格被证明在大约 400 mK 时具有分数量子反常霍尔效应 (FQAHE)，引发了围绕莫尔效应的基本机制和作用的讨论。特别是，已经提出了具有非平凡拓扑的新电子晶体态。 在这里， 麻省理工学院物理系 巨龙教授 团队 报告了一项研究， 通过电传输测量，探索了电子温度低至 40 mK 时菱面体五层和四层石墨烯/六方氮化硼莫尔超晶格的特性 。研究发现， 在五层器件中，出现了比之前报道多出两个的分数量子反常霍尔态，同时伴随更小的 Rxx 值。而在新的四层器件中，作者在莫尔填充因子  v = 3/5和2/3下观察到 FQAH 效应 。 在基础温度和小电流条件下，研究还发现了一种全新的扩展量子反常霍尔态和磁滞现象，其特征是 Rxy=h/e2和 Rxx 的完全消失。这种状态 ………………………………