GaN的里程碑：晶圆向300mm过渡

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制造商可以减少设备投资，降低成本 氮化镓(GaN)作为一种高性能半导体材料，因其在高频、高功率、高温和高压环境下的卓越性能而备受关注。随着对高性能电子器件需求的不断增长，GaN技术正逐渐从150mm和200mm晶圆向300mm晶圆过渡。 在氮化镓(GaN)技术向300mm晶圆尺寸迈进的过程中，面临了许多技术挑战： 热膨胀系数(CTE)匹配问题：GaN与常用的硅基衬底的热膨胀系数不匹配，导致在大尺寸晶圆上生长GaN时容易出现翘曲和裂纹，从而影响器件的制造良率和可靠性。 制造成本：尽管增加晶圆直径可以降低单位面积的生产成本，但大尺寸晶圆的制造和处理技术更为复杂，初期投资和运营成本较高。 设备兼容性：现有的硅生产线需要进行改造以适应GaN的生产，这涉及到设备兼容性和升级的问题。此外，传统的硅晶圆与GaN之间的CTE失配也限制了制造更高电压器 ………………………………