西安电子科技大学常晶晶Angew：直接掺入氟化物阴离子抑制卤化钙钛矿中离子迁移和稳定晶相

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氟阴离子（F−）具有极高的电负性，因其卓越的缺陷抑制效果和显著提升的器件性能，在钙钛矿太阳能电池中受到了广泛关注。然而，这些研究仅集中于表面、晶界或界面的修饰，直接将F−插入常规铅卤钙钛矿薄膜的晶格结构中仍未被揭示。 在此研究中， 西安电子科技大学常晶晶等人 将F−通过引入吡啶卤化物作为一种新型的挥发性溶解配体，成功地被掺入钙钛矿晶格中，从而克服了PbF2的不溶性问题。F−的强电负性显著提高了CsPbI2Br中所有离子的结合能，并抑制了它们的缺陷形成。少量F−的掺入不仅增强了光电性能，还有效抑制了离子迁移和相分离现象。同时，钙钛矿太阳能电池的光伏性能和操作稳定性得到了显著提升，光电转换效率在AM 1.5G标准光照下达到17.78%（在1000 lux室内光照下达到38.01%）。 此外，F−还可以直接插入混合钙钛矿晶格中， ………………………………