【方正电子】DUV时代刻蚀和沉积设备重要性凸显

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本文来自方正证券研究所于2024年7月26日发布的报告 《DUV时代刻蚀和沉积设备重要性凸显》 ，欲了解具体内容，请阅读报告原文。 郑震湘 S1220523080004 佘凌星 S1220523070005 刘嘉元 S1220523080001 核心观点 多重图形化及NAND三维化驱动刻蚀、沉积设备占比提升。 2004年以来沉积和刻蚀类设备在WFE中占比呈上升趋势。刻蚀设备从2004-2008年的平均占比14.6%，提升至2019-2023年的20.6%。沉积设备从2004-2008年的平均19.9%，提升至2019-2023年的平均22.1%。我们认为份额提升的主要原因是DUV时代，逻辑和DRAM制程节点升级依靠多重图案化以及NAND三维化层数增加，工艺流程中对刻蚀和沉积的层数数量、难度的提升。 20nm技术节点引入多重图形化技术，光刻机套刻精度、效率提升，沉积、刻蚀需求增加。台积电2011年28nm制程节点规模量产后，2013年11月，公司16nmFinFET节点开始风险量产 ………………………………