研究透视：滑移铁电材料 | Science

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对于面积效率和能量效率的电子学来说，低至原子级尺度的电压可切换集体电子现象的持续存在，具有广泛的影响，特别是在新兴的非易失性存储器技术。 近日，美国 麻省理工学院（Massachusetts Institute of Technology）Kenji Yasuda，Evan Zalys-Geller，Pablo Jarillo-Herrero，Raymond Ashoori等，在Science上发文，研究了室温双层氮化硼中，基于滑移铁电性的铁电场效应晶体管ferroelectric field-effect transistor (FeFET) 性能。 滑 移 铁电性sliding ferroelectricity代表了一种原子级薄的不同形式二维铁电体，主要特征是通过层间滑 移 运动，以实现平面外的极化翻转。 研究了采用单层石墨烯作为沟道层的FeFET器件，并表现出了纳秒量级的超快开关速度和超过10E11个开关周期的高耐久性，媲美于最先进的FeFET器件。 在下一代非易失性存储器技术方面，这些特性突出了二维滑 移 铁电体的应用 ………………………………